單晶硅加熱、藍寶石加熱、砷化鎵、磷化銦、碳化硅、氮化鋁、多晶硅加熱電源等;
● 打壓還原集成一體化,解決擊穿在傳統(tǒng)工藝中生產(chǎn)效率低問題
● 國內(nèi)和國際上最大的40T單爐多晶硅電源系統(tǒng)
● 除采用傳統(tǒng)硅調(diào)功器以外,力源新創(chuàng)的IGBT模式,比起傳統(tǒng)的硅調(diào)功器,具有以下 優(yōu)勢:
* 功率因數(shù)高,可達0.95以上,解決了傳統(tǒng)硅調(diào)功器需要SVG功率因數(shù)補償裝置
* 解決了硅調(diào)功器三相不平衡的問題
* 設(shè)備配置更簡潔更簡單
* 效率更高,比傳統(tǒng)硅調(diào)功器高2%
*IGBT開關(guān)頻率15KHZ,控制速度更快
● 具有快速限流技術(shù),避免原來容易出現(xiàn)跳閘現(xiàn)象
● 輸入電壓 三相AC10kV±10% 50±1Hz
● 交流輸出 三相變壓器輸出9繞組分別單獨控制
● 啟動打壓電壓 12KV ,可定制
● 還原輸出電流 0~4600A,可定制
● 還原輸出電壓 0~2800V,可定制
● 穩(wěn)流精度 ≤±0.2%
● 功率因數(shù) SCR最大電流下≥0.92;IGBT全范圍≥0.95
● SCR變壓器二次側(cè)每相輸出檔位 5檔
● IGBT模式檔位 2檔
● SCR控制方式 每組負載5組反并聯(lián)晶閘管倒級換檔及調(diào)壓加2組反并聯(lián)晶閘管打壓控制
● IGBT控制方式 PWM 斬波方式
● 保護功能 過壓、過流、欠壓、短路、過熱等多項保護功能
● 冷卻方式 水冷/風(fēng)冷可選
● 控制方式 RS485、CAN、以太網(wǎng)等方式可選
● 外形尺寸 根據(jù)客戶需求定制
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