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多晶硅還原爐電源
  • 多晶硅還原爐電源

多晶硅還原爐電源

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單晶硅加熱、藍寶石加熱、砷化鎵、磷化銦、碳化硅、氮化鋁、多晶硅加熱電源等;

產(chǎn)品特點

    打壓還原集成一體化,解決擊穿在傳統(tǒng)工藝中生產(chǎn)效率低問題

 

    國內(nèi)和國際上最大的40T單爐多晶硅電源系統(tǒng)

 

    除采用傳統(tǒng)硅調(diào)功器以外,力源新創(chuàng)的IGBT模式,比起傳統(tǒng)的硅調(diào)功器,具有以下 優(yōu)勢:  


            * 功率因數(shù)高,可達0.95以上,解決了傳統(tǒng)硅調(diào)功器需要SVG功率因數(shù)補償裝置

            * 解決了硅調(diào)功器三相不平衡的問題

            * 設(shè)備配置更簡潔更簡單

            * 效率更高,比傳統(tǒng)硅調(diào)功器高2%

            *IGBT開關(guān)頻率15KHZ,控制速度更快

 

   ●  具有快速限流技術(shù),避免原來容易出現(xiàn)跳閘現(xiàn)象

 

 


產(chǎn)品參數(shù)


    輸入電壓                    三相AC10kV±10%   50±1Hz


    交流輸出                    三相變壓器輸出9繞組分別單獨控制


    啟動打壓電壓              12KV ,可定制


    還原輸出電流              0~4600A,可定制


    還原輸出電壓              0~2800V,可定制


    穩(wěn)流精度                    ≤±0.2%


    功率因數(shù)                    SCR最大電流下≥0.92;IGBT全范圍≥0.95


    SCR變壓器二次側(cè)每相輸出檔位    5檔


    IGBT模式檔位             2檔


    SCR控制方式              每組負載5組反并聯(lián)晶閘管倒級換檔及調(diào)壓加2組反并聯(lián)晶閘管打壓控制


    IGBT控制方式             PWM 斬波方式


    保護功能                    過壓、過流、欠壓、短路、過熱等多項保護功能


    冷卻方式                    水冷/風(fēng)冷可選


    控制方式                    RS485、CAN、以太網(wǎng)等方式可選


    外形尺寸                    根據(jù)客戶需求定制